光电培训班2009年第三期LED大功率芯片和封装构成
LED热点中的热点，对接台湾及世界产业先进技术与动向的良机
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课程背景：LED固态光源(Solid-State Lighting)目前正以具竞争力的新技术主导并逐步占领现有的照明与液晶面板背光的市场，当然高功率LED在器件结构、芯片制程、封装方式、散热、取光效率等都存在急需克服的问题。有鉴于此，此课程除了介绍高功率LED现阶段之各项技术发展外，并针对高功率白光LED技术最新发展动向做讨论。★主办单位：深圳市平板显示行业协会★培训对象: LED行业企业负责人，生产、技术主管等中高层★培训时间：2009年8月7-8日（周五、周六）★培训地点：深圳蛇口明华国际会议中心（深圳市南山区南海大道工业二路8号）
★主 讲 人：武 东 星学历：台湾国立中山大学电机工程研究博士 (1991.01)职位：现职：台湾国立中兴大学材料科学与工程系 教授台湾国立中兴大学 工学院 副院长 (2007.02~)台湾台湾国立中兴大学工学院 工程科技研发中心 主任 (2006.08~)台湾大叶大学电机系董事会 董事 (2001.02~)台湾大叶大学电机工程系 副教授、教授台湾经济部技术部业界科专 审查委员获奖荣誉：荣获台湾国科会九十五年「杰出技术移转贡献奖」荣获台湾教育部九十二年度「大专教师产学合作奖」研究领域：电浆与半导体制程设备 (Plasma & Thin-Film Equipments)尖端半导体固态光源 (Solid-State Light-Emitting Devices)前瞻平面显示器 (Advanced Flat-Panel Display Technology)先进硅晶薄膜太阳电池 (Si Photovoltaic Devices)★宣传媒体：光学薄膜在线 www.cofol.com
中华显示网www.chinafpd.net★培训日程日期
| 时间
| 内容
| 主讲人
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第一天
| 8:00—8:30
| 签到
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武东星 教授
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8:30—9:00
| 开学典礼
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9:00—12:00
| 1.高功率LED芯片技术发展概述
2 氮化镓MOCVD外延技术
3.高功率氮化镓LED芯片结构设计与缺差排抑制
4.高功率LED芯片电流拥挤效应与对策
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13:30—16:30
| 5.高功率LED芯片之表面工程
6.高功率LED芯片奥姆接触与反射层金属特性
7.晶圆键合技术
8.蓝宝石基板雷射剥离技术
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第二天
| 9:00—12:00
| 9.图案化蓝宝石基板技术
10.高功率氮化物LED芯片制程 (水平电极结构)
11.高功率氮化物LED芯片制程 (垂直电极结构)
12.高功率LED芯片取光效率分析
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13:30—16:30
| 13.高功率LED芯片封装技术
14.高功率LED芯片散热设计
15.高功率白光LED技术最新发展动向
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★费用：2000元/人（包括报名费、学费、讲义费、午餐费等）1. 中国光学光电子行业协会和深圳市平板显示行业协会会员单位参加者1800元/人2. 团体报名（大于5人/公司）1800元/人，如会员单位团体报名，可在此基础上再享受九折优惠3、7月20日前报名并缴费者，学费可在以上条件上再优惠200元/人★住宿交通：学员自理（午餐除外）★报名及联系方式：联 系 人： 潘舒
尹乐香电
话：0755-86149880
0755-86149046传
真：0755-86149047邮
箱： Susan_Pan@chinaFPD.net ★付款方式：
【银行电汇】收款单位：深圳市平板显示行业协会 开户银行：深圳平安银行高新区支行帐
号： 0412100143645注：汇款后，请将银行汇款底单传真至0755-86149047，或E-mail至:Susan_Pan@chinaFPD.net==================================================================
报名回执表(请传真至0755-86149047)
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